Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа — с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.
Новая микросхема (на снимке под заголовком) обладает ёмкостью в 512 мегабит. Как сообщает компания в своём пресс-релизе,
PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем
современные образцы флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает
показатель флешек в семь раз.
Ячейки
PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров. При
записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в
аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи
электрического импульса.
Фазы сильно
различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и
единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует.
Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для
расплавления и последующей заморозки кристалла.
К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров (о чем сообщали
в Nature). В этих клетках переход между состояниями совершался всего за
16 наносекунд – быстрее любой существующий на сегодняшний день
технологии.
По оценке Samsung,
применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего
энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы
аккумуляторов на 20%.
Источник: Nature
